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NXP Semiconductors
PESD9X5.0L; PESD9X7.0L
Unidirectional ESD protection diodes
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V RWM
reverse standoff voltage
PESD9X5.0L
PESD9X7.0L
-
-
-
-
5.0
7.0
V
V
I RM
reverse leakage current
PESD9X5.0L
PESD9X7.0L
V RWM = 5.0 V
V RWM = 7.0 V
-
-
3
35
100
500
nA
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 1 mA
C d
PESD9X5.0L
PESD9X7.0L
diode capacitance
f = 1 MHz;
6.2
7.5
-
-
-
-
V
V
V R = 0 V
V CL
PESD9X5.0L
PESD9X7.0L
clamping voltage
[1][2]
-
-
68
62
100
100
pF
pF
PESD9X5.0L
PESD9X7.0L
I PP = 10 A
I PP = 1 A
I PP = 10 A
I PP = 1 A
-
-
-
-
-
-
-
-
18
10
18
11
V
V
V
V
r dyn
dynamic resistance
I R = 10 A
[2][3]
-
0.4
-
Ω
[1]
[2]
[3]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to pin 2.
Non-repetitive current pulse; Transmission Line Pulse (TLP) t p = 100 ns; square pulse;
ANSI/ESD STM5.1-2008.
PESD9XXL_SER
Product data sheet
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Rev. 1 — 16 December 2010
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
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